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ALD810016SCL

4个N沟道

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD810016SCL
商品编号: C17649855
商品封装: SOIC-16
包装方式: 管装
商品毛重: 0.305克(g)

商品参数

商品概述

1214GN - 180LV是一款内部匹配的共源AB类碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN on SiC HEMT），在1200至1400 MHz频段，脉冲宽度为3ms、占空比为30%时，能够提供超过16.6dB的增益和180瓦的脉冲射频输出功率。该晶体管具有内部预匹配功能，可实现最佳性能。这款密封晶体管专为L波段雷达应用而设计。它采用镀金金属化和共晶连接技术，以确保最高的可靠性和卓越的耐用性。

商品特性

使用简单且经济
工厂精确微调
自动调节和平衡漏电流
有效实现超级电容器充电平衡
单个 IC 封装可平衡多达 4 个超级电容
平衡 2 节、3 节、4 节串联的超级电容
可扩展至更大的超级电容组和阵列
几乎零额外漏电流
在额定电压以下 0.3V 时零漏电流
平衡串联和/或并联连接的超级电容
漏电流是电池电压的指数函数
有源电流范围从 < 0.3 nA 到 >1000 μA
始终处于工作状态,响应时间快
最小化漏电流和功耗

应用领域

-串联超级电容器单元漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功耗分压器-匹配电流镜和电流源-零功耗模式最大电压限制器-可扩展的超级电容器组和阵列

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10.6V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	12000MΩ@1.2V
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	1.62V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	15pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	-
	输出电容(Coss)	-