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TSM300NB06LDCR RLG实物图
  • TSM300NB06LDCR RLG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM300NB06LDCR RLG

2个N沟道 耐压:60V 电流:24A 电流:5A

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商品型号
TSM300NB06LDCR RLG
商品编号
C17643575
商品封装
PDFNU-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))39mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)966pF
反向传输电容(Crss)22pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)69pF

商品概述

ARF475FL 是采用 T3A 封装、共源极配置的一对匹配射频功率晶体管。它专为窄带工业、科学和医疗(ISM)频段以及最高 128 MHz 的磁共振成像(MRI)功率放大器中的高压推挽或并联操作而设计。

商品特性

  • 低RDS(ON),以最小化传导损耗
  • 逻辑电平
  • 低栅极电荷,实现快速功率开关
  • 100%进行UIS和Rg测试
  • 符合RoHS标准
  • 符合IEC 61249 - 2 - 21标准的无卤要求

应用领域

-无刷直流电机控制-电池电源管理-DC-DC转换器-次级同步整流

数据手册PDF