TSM300NB06LDCR RLG
2个N沟道 耐压:60V 电流:24A 电流:5A
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- 商品型号
- TSM300NB06LDCR RLG
- 商品编号
- C17643575
- 商品封装
- PDFNU-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 966pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品概述
ARF475FL 是采用 T3A 封装、共源极配置的一对匹配射频功率晶体管。它专为窄带工业、科学和医疗（ISM）频段以及最高 128 MHz 的磁共振成像（MRI）功率放大器中的高压推挽或并联操作而设计。
商品特性
- 规定 500 V、128 MHz 特性
- 输出功率 = 900 W 峰值
- 增益 = 15 dB（AB 类）
- 效率最低 50%
- 高性能推挽式射频封装
- 高电压击穿和大安全工作区（SOA），坚固耐用
- 低热阻
- 符合 RoHS 标准
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