商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 1.2kV | |
| 通态电流(It) | 355A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 2.074V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 200mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 保持电流(Ih) | 600mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 重复峰值电压：NTE5374的VDRM、VRRM为600V，NTE5375为1200V
- 非重复峰值断态电压：NTE5374的VDSM为600V，NTE5375为1200V
- 非重复峰值反向阻断电压：NTE5374的VRSM为700V，NTE5375为1300V
- 平均通态电流（Tc = +85°C，半正弦波）：NTE5374的IT(AV)为195A，NTE5375为175A
- 均方根通态电流：IT(RMS)为355A
- 连续通态电流：|T为355A
- 峰值单周期浪涌（非重复）通态电流：NTE5374在t = 10ms、60% VRRM重新施加时为4700A，在t = 10ms、VR ≤ 10V时为5170A；NTE5375在t = 10ms、60% VRRM重新施加时为3250A，在t = 10ms、VR ≤ 10V时为3575A
- 最大允许浪涌能量：NTE5374在t = 10ms、VR ≤ 10V时为134000A²sec，在t = 3ms、VR ≤ 10V时为98000A²sec；NTE5375在t = 10ms、VR ≤ 10V时为63900A²sec，在t = 3ms、VR ≤ 10V时为47000A²sec
- 峰值正向门极电流：IFGM为18A
- 峰值正向门极电压：VFGM为12V
- 峰值反向门极电压：VRGM为5V
- 平均门极功率：PG(AV)为1.5W
- 峰值门极功率（100μs脉冲宽度）：PGM为60W
- 断态电压上升率（至80% VDRM，门极开路）：dv/dt为200V/μs
- 通态电流上升率：重复时为500A/μs，非重复时为1000A/μs
- 峰值通态电压（I = 600A）：NTE5374的VT为1.8V，NTE5375为2.074V
- 正向导通阈值电压：NTE5374的V0为1.4V，NTE5375为1.55V
- 正向导通斜率电阻：NTE5374的r为0.67mΩ，NTE5375为0.87mΩ
- 重复峰值断态电流（在额定VDRM下）：IDRM为30mA
- 重复峰值反向电流（在额定VRRM下）：IRRM为30mA
- 触发所有器件所需的最大门极电流（TJ = +25°C，VA = 6V，IA = 1A）：IGT为200mA
- 触发所有器件所需的最大门极电压（TJ = +25°C，VA = 6V，IA = 1A）：VGT为3V
- 最大维持电流（TJ = +25°C，VA = 6V，IA = 1A）：IH为600mA
- 不会触发任何器件的最大门极电压：VGD为0.25V
- 典型存储电荷（ITM = 300A，dir/dt = 20A/μs，VRM = 50V，50%弦值）：NTE5374的Qrr为25μc，NTE5375为45μc
- 最大电路换相关断时间（ITM = 300A，dir/dt = 20A/μs，VRM = 50V，dv/dt = 200V/μs至80% VDRM）：NTE5374为10μs，NTE5375为20μs
- 工作温度范围：TC为 -40°C至 +125°C
- 存储温度范围：Tstg为 -40°C至 +150°C
- 热阻，结到外壳：RthJC为0.12°C/W