- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT3020UFDB-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3020UFDB-13
- 商品编号
- C17630735
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 383pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 186pF |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm 超薄封装——适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 低导通电阻
- 栅极具备 ESD 保护
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- SIT8008BC-12-33S-20.000000
- 630-7W2-650-1TD
- SIT9365AC-1B3-28N161.132813
- 660-009B16F4-108
- SIT9365AC-1E3-25N133.333333
- LM5051MAEVAL/NOPB
- E160-21
- 2226784-3
- 1054051316
- 5200.0623.3
- 1106396-28
- 629-11W1650-3T1
- L130-3080003000X24
- 630-5W5-640-1T4
- L128-5780HA35000B1
- PDB183-GTR04-504A2
- 11_SMA-50-2-100/111_NE
- SG-8018CA 17.6640M-TJHSA0
- SIT1602BC-33-XXS-62.500000
- 3-2308350-1
- 4-644471-2