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DMN33D8LDWQ-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN33D8LDWQ-13
- 商品编号
- C17635308
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@2.5V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 30000 个)个
起订量：30000 个10000个/圆盘
总价金额：
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