商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 1kV | |
| 通态电流(It) | 55A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 40mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 1.5V | |
| 保持电流(Ih) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
NTE54000至NTE54004是半波、单向、门控可控硅整流器(SCR),采用TO220封装,具有玻璃钝化结,以确保长期可靠性和周边稳定性。
商品特性
- 高电压能力
- 高浪涌能力
- 玻璃钝化芯片
- 绝对最大额定值:环境温度TA = +25°C,60Hz,阻性负载(除非另有说明)
- 重复峰值断态电压VDRM:NTE54000为200V,NTE54001为400V,NTE54002为600V,NTE54003为800V,NTE54004为1000V
- 重复峰值反向电压VRRM:NTE54000为200V,NTE54001为400V,NTE54002为600V,NTE54003为800V,NTE54004为1000V
- 均方根通态电流IT(RMS)为55A
- 通态电流IT(AV)为35A
- 峰值浪涌(非重复)通态电流(多于一个完整周期):50Hz时为550A,60Hz时为650A
- 峰值门极电流(最大10μs)IGM为4A
- 峰值门极功率耗散(最大10μs)PGM为40W
- 平均门极功率耗散PG(AV)为800mW
- 峰值通态电压(在最大额定均方根电流,结温TC = +25°C时)VTM为1.8V
- 熔断用均方根浪涌(非重复)通态电流(8.3ms)I²t为1750A²sec
- 引脚温度(焊接期间,距外壳1/16英寸,最长10秒)TL为+230°C
- 工作温度范围Toper为 -40°C至+125°C
- 储存温度范围Tstg为 -40°C至+150°C
- 典型热阻,结到外壳RthJC为0.5°C/W
- SIT9122AC-2D3-33E233.333333
- DDM-43W2S-A191-A197
- SIT8209AC-22-28E-161.132800
- 2165713006
- SIT8208AC-21-33S-3.570000
- CE3291-2.048
- 10845020
- 1808913
- QTM750-120.000MBE-T
- SIT9120AI-2C1-25S74.250000
- BACC63DB13-4PAH
- 627-21W4224-3ND
- VS-12F60
- 0701070018
- SG-8018CE 6.3690M-TJHSA0
- XBDAWT-02-0000-00000LAZ8
- 380-40-120-10-003000
- DDMD36X4SJA197
- 1170210000
- GH65C11-C-PD
- LMK00105BEVAL/NOPB

