商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 200V | |
| 通态电流(It) | 40A | |
| 门极触发电流(Igt) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电压(Vgt) | 2.5V | |
| 保持电流(Ih) | 60mA | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ |
商品特性
- 重复峰值关态电压（门极开路，TJ = +110°C）：NTE5688为200V，NTE5689为400V，NTE5690为600V
- 均方根通态电流（TC = +80°C，导通角 = 360°）：40A
- 非重复峰值浪涌通态电流（50Hz或60Hz下一个周期）：400A
- 峰值门极触发电流（最大3μs）：12A
- 峰值门极功率耗散（IGT ≤ IGTM）：40W
- 平均门极功率耗散：750mW
- 工作温度范围：-40°C至+110°C
- 储存温度范围：-40°C至+150°C
- 热阻（结到壳）：典型值1.8°C/W
- 峰值关态电流（门极开路，TC = +110°C，VDRM = 最大额定值）：最大1mA
- 最大通态电压（TC = +25°C，IT = 40A）：最大2.0V
- 直流维持电流（门极开路，TC = +25°C）：最大60mA
- 关态电压临界上升率（VD = VDRM，门极开路，TC = +170°C）：200V/μs
- 换相电压临界上升率（VD = VDRM，IT = 40A，门极未激励，TC = +80°C）：3V/μs
- 直流门极触发电流（VD = 12VDC，RL = 30Ω，TC = +25°C）：象限I和III最大100mA，象限II和IV最大150mA
- 直流门极触发电压（VD = 12VDC，RL = 30Ω，TC = +25°C）：最大2.5V
- 门极控制导通时间（VD = 400V，IGT = 200mA，tR = 0.1μs，IT = 10A（峰值），TC = +25°C）：3μs