商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 200V | |
| 通态电流(It) | 40A | |
| 门极触发电流(Igt) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电压(Vgt) | 2.5V | |
| 保持电流(Ih) | 60mA | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ |
商品特性
- 重复峰值关态电压(门极开路,TJ = +110°C):NTE5688为200V,NTE5689为400V,NTE5690为600V
- 均方根通态电流(TC = +80°C,导通角 = 360°):40A
- 非重复峰值浪涌通态电流(50Hz或60Hz下一个周期):400A
- 峰值门极触发电流(最大3μs):12A
- 峰值门极功率耗散(IGT ≤ IGTM):40W
- 平均门极功率耗散:750mW
- 工作温度范围:-40°C至+110°C
- 储存温度范围:-40°C至+150°C
- 热阻(结到壳):典型值1.8°C/W
- 峰值关态电流(门极开路,TC = +110°C,VDRM = 最大额定值):最大1mA
- 最大通态电压(TC = +25°C,IT = 40A):最大2.0V
- 直流维持电流(门极开路,TC = +25°C):最大60mA
- 关态电压临界上升率(VD = VDRM,门极开路,TC = +170°C):200V/μs
- 换相电压临界上升率(VD = VDRM,IT = 40A,门极未激励,TC = +80°C):3V/μs
- 直流门极触发电流(VD = 12VDC,RL = 30Ω,TC = +25°C):象限I和III最大100mA,象限II和IV最大150mA
- 直流门极触发电压(VD = 12VDC,RL = 30Ω,TC = +25°C):最大2.5V
- 门极控制导通时间(VD = 400V,IGT = 200mA,tR = 0.1μs,IT = 10A(峰值),TC = +25°C):3μs
- SE12DJ-M3/I
- SIT1602BI-22-XXE-31.250000
- SFH21-PPVN-D15-ID-BK-M181
- 480-10-212-00-001101
- SIT1602BC-73-33E-48.000000
- 3QHM572C0.5-11.0592
- S-816A40AMC-BAPT2U
- F-151XP
- RPI-574
- HIF3CA-26PA-2.54DSA(63)
- SIT8208AC-2F-33S-66.660000Y
- MAAM-007807-TR1000
- SIT9003AI-34-33DO-25.00000
- CMU1010-0000-000N0B0A65E
- SIT8008BI-21-18E-37.125000
- XUL536010.000000X
- PX0485/BK
- 628-3W3-224-4N2
- 25QHM572D0.5-4.096
- SIT9156AI-2CF-25E156.250000T
- 160-R82-JTW

