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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTE2386

1个N沟道 耐压:600V 电流:6.2A

品牌名称
NTE Electronics
商品型号
NTE2386
商品编号
C17627111
商品封装
TO-3​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)6.2A
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)1.3nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

商品特性

  • 重复雪崩额定值
  • 动态dv/dt额定值
  • 驱动要求简单
  • 易于并联

应用领域

  • 开关电源
  • 电机控制
  • 逆变器
  • 斩波器
  • 音频放大器
  • 高能脉冲电路

数据手册PDF