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PJL9802_R2_00001

2个N沟道耐压:30V 电流:5A

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品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJL9802_R2_00001
商品编号: C17621909
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

IGBT产品为广泛的高压和高功率应用提供了高质量的解决方案。开关频率范围从直流（以实现最小传导损耗）到150 kHz（适用于超高功率密度开关模式电源(SMPS)应用）。每款IGBT产品都代表了IGBT技术的最新成果，为目标应用提供了最佳的性能/成本组合。碳化硅(SiC)是适用于更高开关频率、更高效率和更高功率（>650V）应用的理想技术。SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管产品线相较于硅MOSFET和IGBT解决方案提高了系统效率，同时通过实现系统小型化和更小/更低成本的散热方案降低了总体拥有成本。

商品特性

当VGS为10 V、ID为5 A时,RDS(ON) < 48 mΩ
当VGS为4.5 V、ID为3 A时,RDS(ON) < 70 mΩ
开关速度快
改善了dv/dt能力
栅极电荷低
反向传输电容低
符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物

应用领域

商用：驱动装置、空调、配电
工业领域：电机驱动、焊接、不间断电源(UPS)、开关模式电源、感应加热
交通运输/汽车：电动汽车(EV)电池充电器、混合动力汽车(HEV)动力系统、DC-DC转换器、能量回收
智能能源：光伏(PV)逆变器、风力发电机
医疗领域：MRI电源、X光电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	5A
	导通电阻(RDS(on))	70mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	1.7W
	阈值电压(Vgs(th))	2.1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	235pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-