NTE2018

NTE2016至NTE2020非常适合在低电平数字逻辑电路和高功率外围负载之间进行接口连接。它们是采用18引脚DIP封装的高压、高电流达林顿阵列，每个器件中的八个驱动器的峰值负载电流额定值为600mA（NTE2016、NTE2019）或750mA（NTE2017、NTE2018、NTE2020）。在适当条件下，可以控制高达50V时4A（占空比23%时为200W）或95V时3.2A（占空比33%时为304W）的高功率负载。典型负载包括继电器、螺线管、步进电机、多路复用LED和白炽灯显示器以及加热器。所有器件均具有集电极开路输出和用于电感负载瞬态抑制的集成二极管。 NTE2016是通用阵列，可与使用外部限流的标准双极数字逻辑一起使用，或直接与大多数PMOS或CMOS一起使用。该器件的输出引脚与输入引脚相对，便于印刷线路板布局。 NTE2017设计用于14V至25V的PMOS器件。每个输入都有一个齐纳二极管和一个串联电阻，以将该应用中的输入电流限制在安全值。齐纳二极管还使该器件具有出色的抗噪能力。 NTE2018为每个达林顿对配备了2.7kΩ的串联基极电阻，允许直接与工作在5V电源电压下的TTL或CMOS一起工作。该器件可以满足众多接口需求，特别是那些超出标准逻辑缓冲器能力的需求。 NTE2019具有10.5kΩ的串联输入电阻，允许直接从使用6V至15V电源电压的CMOS或PMOS输出端工作。所需的输入电流低于NTE2018，而所需的输入电压低于NTE2017。 NTE2020设计用于标准TTL和肖特基TTL，在这些应用中需要更高的输出电流，并且逻辑输出的负载不是问题。当由“图腾柱”逻辑输出驱动时，该器件的灌电流至少为350mA。 绝对最大额定值：（除非另有说明，TA = +25°C，针对任何一个达林顿对） 输出电压VCE：50V 输入电压VIN：NTE2017、NTE2018、NTE2019为30V，NTE2020为15V 连续集电极电流IC：NTE2016、NTE2019为500mA，NTE2017、NTE2018、NTE2020为600mA 连续基极电流IB：25mA 功率耗散PD：一个达林顿对为1W，整个器件（注2）为2.25W 工作环境温度范围TA：-20°C至+85°C 储存温度范围TStg：-55°C至+150°C 注1：NTE2017和NTE2020是已停产的器件，不再供货。 注2：在+25°C以上，以18.18mW/°C的速率降额。 注3：在正常工作条件下，这些器件在+50°C、脉宽20ms、占空比40%且VCE(sat)=1.6V时，每个输出可承受350mA的电流。