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2EDR8258XXUMA1

双通道隔离栅极驱动IC

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描述: 该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 2EDR8258XXUMA1
商品编号: C17613836
商品封装: DSO-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.51克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	6ns
	传播延迟 tpLH	38ns
	传播延迟 tpHL	36ns
	特性	欠压保护(UVP)；短路保护(SCP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2V
	输入低电平(VIL)	1.2V
	静态电流(Iq)	1.67mA

商品概述

EiceDRIVER 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动 Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN HEMT 功率开关。所有产品均采用 8 mm 输入 - 输出爬电距离的 DSO 封装，并通过片上无芯变压器 (CT) 技术提供加强隔离。采用 14 引脚 DSO 封装的 2EDRx259X 和 2EDRx258X 变体提供了更大的通道间爬电距离。它们适用于母线电压较高或污染等级较高的应用，并且通常可以简化 PCB 布线。所有版本均提供可选的直通保护 (STP) 和死区时间控制 (DTC) 功能。这使得它们能够作为双通道低端、双通道高端或半桥栅极驱动器运行，且死区时间可配置。凭借出色的共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低器件间偏差和快速的信号传播，这些产品非常适合用于快速开关电源转换系统。

商品特性

用于 Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN HEMT 功率开关的双通道隔离式栅极驱动器
快速的输入 - 输出传播时间 (38 ns)，稳定性出色 (+9/-5 ns)
强大的输出级：5 A/9 A 源/灌电流
针对 VDDA/B < UVLO 的快速输出钳位
快速的欠压锁定 (UVLO) 恢复时间 (<2 μs)
四种 VDDA/B UVLO 选项：4 V、8 V、12 V、15 V
共模瞬态抗扰度 (CMTI) > 150 V/ns
提供 16/14 引脚 300 mil DSO 封装

应用领域

服务器、电信开关电源 (SMPS)
电动汽车非车载充电器
低压驱动器和电动工具
太阳能微型逆变器、太阳能优化器
工业电源 (SMPS、家用不间断电源 (UPS))

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	9A
	拉电流(IOH)	5A
	工作电压	3V~17V
	上升时间(tr)	7.5ns