商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 390 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 特征频率(fT) | 180MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 封装齐纳二极管和小信号放大晶体管
- 通过外部连接可使用电源监控装置
- 使用电源监控装置时，检测电压的温度漂移特性约为150 ppm/°C。
应用领域
- 电源过载保护。
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