商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 390 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 特征频率(fT) | 180MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 封装齐纳二极管和小信号放大晶体管
- 通过外部连接可使用电源监控装置
- 使用电源监控装置时,检测电压的温度漂移特性约为150 ppm/°C。
应用领域
- 电源过载保护。
- S2A-M3/52T
- IMSA-13065B-2-24Y901
- L128-3080EA3500005
- SG-8018CE 12.031125M-TJHSA0
- 407-BBWL-HPC
- SG-8018CE 36.020408M-TJHSA0
- 150-40-328-00-001000
- XPGBWT-01-0000-00FE7
- ECS-3951M-035-BN-TR
- GCM1885G1H4R0CA16D
- TSM75-H50CQ33ST-45.000M-TR
- GCM1885G1H2R7DA16J
- TFM-150-11-L-D-LC
- E35KA-FW1000-N
- SG-8018CA 116.6666M-TJHSA0
- AWVC002016102R2T00
- DPG30C300PC-TRL
- ECS-3951M-650-B-TR
- GCM31B5C2J272JX01K
- GCM1885C1H130FA16D
- 357B0502MXB251S22


