AOT5B65M1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 8.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 106ns | |
| 反向恢复时间(Trr) | 195ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 允许的短路次数:< 1000;短路间隔时间:> 1s
- QLCD250Q9R1B1GV001T
- 12616-03_T3
- 430452415
- 632L3I024M00000
- 628-M25-222-BT1
- SIT8208AI-GF-25S-54.000000Y
- 628-11W1624-3N4
- DEMO-AD5758-AO8Z
- SG-8018CE 50.0333M-TJHSA0
- L6X8E3RP
- 630-9W4-240-2N1
- 0014600104
- A1337LLETR-DD-T
- SG-8018CA 159.0000M-TJHPA0
- SG-8018CA 17.643170M-TJHPA0
- BG22-RB4191A
- 5022R-434H
- 3090-151F
- SPMWHD32AMD5XAP3S0
- 1510134116
- XPGWHT-P1-0000-00FF8

