商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 输入电阻 | 61.1kΩ | |
| 电阻比率 | 1 |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 集成偏置电阻减少了所需的外部元件数量,从而有可能减小系统尺寸并缩短组装时间。
- 东芝提供多种阻值的晶体管,以适应各种电路设计。
- 与 RN2301 至 RN2306 互补
应用领域
-开关逆变器电路-接口-驱动电路
- EMMC256-IY29-5B111
- QLCD250Q300J1GV001T
- XEGAWT-H0-0000-000-00000HT430H
- CE3392-32.768
- 628-21W4224-1TA
- XPEBGR-L1-R250-00F02
- 516-090-500-305
- 627-27W2222-5T2
- SIT8208AI-3F-18S-24.000000T
- M1331-104K
- O12864A-GBY-TW3
- 633-M15-363-WT4
- SG-8018CA 52.4288M-TJHPA0
- GCM1885G1H300JA16J
- GCM155R71E183KA55J
- L101374SP-06
- SIT8208AI-2F-18E-12.288000T
- SG-8018CB 28.7040M-TJHPA0
- PS2502L-1-K-A
- 1N4148GW6_R1_00001
- IPL1-102-02-S-D-K

