RN2132MFV,L3F
RN2132MFV,L3F
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN2132MFV,L3F
- 商品编号
- C17614256
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 120 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 260kΩ | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品特性
- 超小型封装,适用于超高密度贴片
- 晶体管内置偏置电阻,减少了元件数量,有助于设备进一步小型化,并降低组装成本。
- 电阻值范围广,可用于各种电路。
- 与RN1131MFV、RN1132MFV互补。
应用领域
- 开关应用
- 逆变器电路应用
- 接口电路应用
- 驱动电路应用
- SG-8018CE 116.541440M-TJHPA0
- HTST-113-01-L-DV-A-P
- 147323-8
- 380-10-120-00-001000
- LTMM-112-02-G-D-RA-20
- BPDR00060630270T00
- 2-2842284-6
- S75025T-66.6666-15-R
- BYW29-200-E3/45
- GCM21BL81H124MA37L
- DD15M32S50T2Z
- XREWHT-L1-0000-009A4
- GW PUSRA1.PM-N5P2-80PC-1-700-R33
- TFM-115-02-S-D-LC-TR
- SG-8018CA 26.9910M-TJHPA0
- EJH-105-01-F-D-SM-LC
- LTMM-103-02-G-D
- CPPC7-A5B6-32.0TS
- SIT8208AC-2F-33S-19.440000X
- TFML-125-01-L-D
- XBDAWT-02-0000-00000HAE6


