商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 68 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V@1mA,300mV | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@5mA,250uA | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 4.7 | |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
商品特性
- 采用EMT、UMT或SMT封装的两个DTA144Y。
- 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。
- 晶体管元件相互独立,可消除干扰。
- 贴装成本和面积可减半。
- 628-11W1624-2ND
- SG-8018CE 21.8750M-TJHSA0
- L128-3580SA35A00A5
- TMPC 1205HPV-2R2MG-D
- SI82394AD4-IS3R
- 750312504
- 150-10-640-00-001000
- 516-038-542-245
- TXB0304EVM
- M80-5023442
- 162-40-648-00-180000
- XHP70D-00-0000-0D0BP20E7
- CDRH4D18NP-101NC
- 105-182F
- SSW025000I3CHE-ST7R2
- IPBT-108-H1-T-S-GP
- SIT8208AI-GF-18S-33.330000Y
- SIT8208AI-8F-25S-8.192000Y
- FMY6T148
- VM105MK122R020P050
- 5-104655-8

