APTM10DSKM09T3G
2个N沟道 耐压:100V 电流:139A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM10DSKM09T3G
- 商品编号
- C17599141
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 139A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.875nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.47nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 3.94nF |
商品特性
- 功率MOS V MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻,用于温度监测
应用领域
-交流和直流电机控制-开关模式电源
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