商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,23A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@2.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- 当VGS为10V、ID为6A时，RDS(ON)小于35mΩ
- 当VGS为4.5V、ID为4A时，RDS(ON)小于40mΩ
- 当VGS为2.5V、ID为2A时，RDS(ON)小于54mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 静电放电保护达2KV人体模型（HBM）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）