商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- 功率MOS 7个MOSFET
- 低导通电阻RDS(on)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 非常坚固
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于功率连接的引脚框架
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 高度集成
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器上(隔离封装)
- 低结到外壳热阻
- 功率和信号引脚均可焊接,便于PCB安装
- 薄型封装
- 符合RoHS标准
应用领域
-电机控制-开关电源-不间断电源