- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTE5642
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个双向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 400V | |
| 通态电流(It) | 2.5A | |
| 浪涌电流 | 30A | |
| 门极平均耗散功率(PG(AV)) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通态峰值电压(Vtm) | 2.2V | |
| 门极触发电流(Igt) | 25mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 2.2V | |
| 保持电流(Ih) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
商品特性
- 重复峰值断态电压（门极开路，TJ = +100°C）：NTE5640为100V，NTE5641为200V，NTE5642为400V，NTE5643为600V
- 均方根导通电流（TC = +75°C，导通角360°）：2.5A
- 峰值浪涌（非重复）导通电流（50Hz或60Hz下一个周期）：30A
- 峰值门极触发电流（3μs最大值）：1A
- 峰值门极功率耗散（IGT ≤ IGTM，3μs最大值）：20W
- 平均门极功率耗散：200mW
- 熔断电流（用于双向可控硅保护，T = 1.25至10ms）：3A²s
- 工作温度范围：-40°C至+100°C
- 储存温度范围：-40°C至+150°C
- 典型热阻，结到外壳：4°C/W
- 3-6609956-3
- 09662237803
- SIT1602BI-11-XXN-24.576000
- SIT8208AC-21-28S-3.570000
- DBMAMT44PNM-F225
- 25QHM53C2.0-65.9934
- SIT8208AI-23-25S-74.250000
- 380-40-114-10-003000
- APTGT150DH170G
- 6651493-1
- EPC9093
- SIT9120AI-2B1-XXS148.500000
- 667-262-M-N10
- C391PD
- SIT8209AI-83-28E-156.250000
- 3QHM53C1.0-65.667
- 7553-0-15-80-11-84-10-0
- SIT8208AC-33-33E-60.000000
- RT025AMF22R0KB
- DDH-50P
- SIT2025BI-S2-25E-125.000000