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SSM6N35AFE,LF
N沟道 耐压:20V 电流:250mA
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- 描述
- 特性：1.2 V驱动。 低漏源导通电阻: -R₍DS(ON)₎ = 9.0 Ω (max)(@V₍GS₎ = 1.2 V, I_D = 10 mA)。R₍DS(ON)₎ = 3.1 Ω (max)(@V₍GS₎ = 1.5 V, I_D = 20 mA)。应用：高速开关模拟开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N35AFE,LF
- 商品编号
- C17584221
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 340pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品特性
- 1.2V驱动
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 9.0Ω(最大值)(@ VGS = 1.2V,ID = 10mA)
- RDS(ON) = 3.1Ω(最大值)(@ VGS = 1.5V,ID = 20mA)
- RDS(ON) = 2.4Ω(最大值)(@ VGS = 1.8V,ID = 150mA)
- RDS(ON) = 1.6Ω(最大值)(@ VGS = 2.5V,ID = 150mA)
- RDS(ON) = 1.1Ω(最大值)(@ VGS = 4.5V,ID = 150mA)
应用领域
- 高速开关
- 模拟开关