商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 500mV;7V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 12.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
- IHLE2020CDER1R0M5A
- 620AS028M10L
- S2GHE3_A/I
- EJH-110-02-S-D-RA-15
- SIT1602BC-32-18N-66.000000
- SIT8208AI-GF-33E-66.600000T
- 3-641191-6
- 3-174820-8
- 1170250000
- 3QHM572D3.0-150.000
- BACC63CT25-4PBH
- SENL-S201A-L868EU
- RSSD08X34AR510MS00
- P60BA102M
- VS-VSKV41/10
- 334-90-124-00-100000
- SIT8225AI-32-28E-25.000625
- 25QHM572C0.5-74.200
- SIT1602BI-71-XXS-35.840000
- M85528/2-16A01
- 0479-0-43-80-34-27-10-0

