商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 4V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 8mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 18pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
- SXO53L3A171-125.000M
- DAMV-7C2S-N-K126
- 164G20
- SXO21C3B171-20.000M
- GLT12232A-SM-TCI-VS
- SIT8209AC-83-18E-133.333333
- 1719771015
- NRSE104F3950B1F
- 8D013W04SA-LC
- SIT8924BE-13-18E-24.000000
- FLPR6.0-SG
- SIT1602BC-13-XXE-62.500000
- EN3645-M0JN43MA
- 660-024Z111S5-01
- 3QHM53C1.0-75.000
- 370-10-106-00-001101
- DMC-M 08-16 AAE
- WF2-60B410
- NXRT15XH103FA5B045
- 714-83-113-41-014101
- R88D-KNA5L-ECT

