- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品特性
- 反射式，50 Ω设计
- 低插入损耗：2.7 GHz时典型值为0.6 dB
- 高功率处理能力（T_CASE=105℃，长期运行超过10年）
- 峰值功率：43 dBm
- 连续波功率：38 dBm
- LTE平均功率（8 dB PAR）：35 dBm
- 单次事件（<10秒操作）LTE平均功率（8 dB PAR）：41 dBm
- 高线性度
- P0.1dB：典型值42.5 dBm
- IP3：2.0 GHz至4.0 GHz时典型值65 dBm
- ESD等级
- HBM：2 kV，Class 2
- CDM：1.25 kV
- 单正电源：5 V
- 正控制，CMOS/TTL兼容
- 16引脚，3 mm x 3 mm LFCSP封装
应用领域
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 测试设备
- 针状二极管替换
- D02-M15SAG-23L9E
- MAX6495ATT+
- 630B007LF214H
- SIT8920BM-23-33E-8.192000
- NTE5486
- 660-004NF22G9-03
- 09000005257
- MMI-BR1-65-Y-T
- 1593028
- SIT8208AC-83-18S-33.333330
- BACC63CT15D5PAH
- SIT1602BIL23-33E-50.000000
- 25QHM53C1.5-38.7072
- DBMG9C4PVK87
- SIT1579AI-J3-33E-524.2880
- IPT1-103-08-L-D
- MS3437B57N
- 687NS183B2212
- 1N5308
- 1731120912
- SIT8920AM-23-33E-3.686400