商品参数
参数完善中
商品特性
- 反射式，50 Ω设计
- 低插入损耗：2.7 GHz时典型值为0.6 dB
- 高功率处理能力（T_CASE=105℃，长期运行超过10年）
- 峰值功率：43 dBm
- 连续波功率：38 dBm
- LTE平均功率（8 dB PAR）：35 dBm
- 单次事件（<10秒操作）LTE平均功率（8 dB PAR）：41 dBm
- 高线性度
- P0.1dB：典型值42.5 dBm
- IP3：2.0 GHz至4.0 GHz时典型值65 dBm
- ESD等级
- HBM：2 kV，Class 2
- CDM：1.25 kV
- 单正电源：5 V
- 正控制，CMOS/TTL兼容
- 16引脚，3 mm x 3 mm LFCSP封装
应用领域
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 测试设备
- 针状二极管替换
优惠活动
购买数量
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总价金额：
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