EV1HMC815BLC5

HMC815B 是一款采用符合 RoHS 标准的封装、工作在 21 GHz 至 27 GHz 频段的紧凑型砷化镓赝配高电子迁移率晶体管单片微波集成电路上变频器。该器件提供 12 dB 的小信号转换增益和 20 dBc 的边带抑制。它采用由驱动放大器后接 I/Q 混频器的架构，其中本振由有源 2× 倍频器驱动。提供 IF1 和 IF2 混频器输入，需要外部 90° 混合器来选择所需的边带。I/Q 混频器拓扑降低了对无用边带滤波的需求。该器件是混合型单边带下变频器组件的更小型替代方案，并通过允许使用表面贴装制造技术，消除了对引线键合的需求。HMC815B 采用 4.90 mm × 4.90 mm、32 端子的陶瓷 LCC 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C。

• 典型转换增益：12 dB
• 典型边带抑制：20 dBc
• 典型输出 1dB 压缩点：20 dBm
• 典型输出三阶交调截点：27 dBm
• 典型 2×10 至射频隔离度：10 dB
• 典型 2×10 至中频隔离度：15 dB
• 典型射频回波损耗：12 dB
• 典型本振回波损耗：15 dB
• 典型中频回波损耗：15 dB
• 裸露焊盘尺寸 4.90 mm × 4.90 mm，32 端子陶瓷 LCC 封装

• 点对点及点对多点无线电
• 卫星通信
• 传感器