- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT40GP60BG
APT40GP60BG
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT40GP60BG
- 商品编号
- C17572170
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.61nF | |
| 输出电容(Coes) | 395pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 25pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 64ns | |
| 导通损耗(Eon) | 644uJ；385uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 950uJ；450uJ；615uJ；352uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT 是新一代高压功率 IGBT。该 IGBT 采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低导通损耗
- 400V、41A 条件下 100kHz 运行
- 低栅极电荷
- 400V、26A 条件下 200kHz 运行
- 超快尾电流关断
- 具有安全工作区（SSOA）额定值
- SG-8018CB 33.2000M-TJHPA0
- SIT8256AI-83-33E-156.253906
- SIT8208AC-2F-33S-16.367667Y
- DV164140-1
- 2-88179-1
- TFM-110-22-S-D-LC-P
- 30024
- BLU0603-1820-BT25W
- ADUM4221-2BRIZ
- M83513/04-G11N
- S51805T-66.666-X-R
- SG-8018CG 156.2543M-TJHPA0
- 98414-G10B10UA01LF
- 632M3I010M00000
- DF13A-11P-1.25H(21)
- 4-640433-8
- 628-015-220-047
- 516-038-500-261
- 5022-432J
- R20120
- SG-8018CE 13.528750M-TJHSA0