- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APTGLQ100DA120T1G
APTGLQ100DA120T1G
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTGLQ100DA120T1G
- 商品编号
- C17577024
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 170A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 340A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 460nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.15nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 460pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 345pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 290ns | |
| 导通损耗(Eon) | 9.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 5.6mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 385ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 高速沟槽 + 场截止 IGBT 4 技术
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 极低的杂散电感
- 内置用于温度监测的热敏电阻
应用领域
交流和直流电机控制、开关电源、功率因数校正
- R3720
- 530CC20M4800DG
- SIT1602BC-33-33S-77.760000
- SIT8208AC-23-28S-24.000000
- SQG32P2D481N-312.500M
- SIT8209AI-83-33E-166.600000
- MIKROE-2161
- SIT9365AI-2B2-25N74.175824
- 2362-1-01-01-00-00-07-0
- HLMP-1401-D00A2
- 0682-0-15-80-32-84-10-0
- 74FST6800FBPG
- ES1000/05DSFB
- 687-104NF10
- XLH738016.934400X
- 178448-6
- LK162-12-USB-E
- XPLAWT-00-0000-000BW2050
- SX1261DVK1BAS
- 500-526
- RVUICGY-B24