- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APTGL120TDU120TPG
APTGL120TDU120TPG
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTGL120TDU120TPG
- 商品编号
- C17571060
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 517W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 140A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.15V@15V,100A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 850nC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.2nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 400pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 350pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 150ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 350ns | |
| 导通损耗(Eon) | 10.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 9.5mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 300ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT 4技术
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 软恢复并联二极管
- 低二极管正向压降（VF）
- 低漏电流
- 反向偏置安全工作区（RBSOA）和短路安全工作区（SCSOA）额定
- 对称设计
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- 用于功率连接的引线框架
- 高集成度
- 内置热敏电阻，用于温度监测
应用领域
交流开关、开关电源、不间断电源
- 510KCA38M4000BAGR
- TOLC-140-02-S-Q-A-K-TR
- 687-860M4
- XPLBWT-00-0000-000UU50E3
- 25QHM572D0.25-68.000
- 1301500181
- SIT8208AI-23-18E-12.000000
- SG-8018CB 4.5000M-TJHPA0
- GCM3195C2A332FA16D
- 667-262-M-R906-5
- 660-023NF11H5-12
- TFM-135-11-S-D-LC
- MLEAWT-H1-R250-0001A6
- GCM1555G1H201GA16D
- ACPL-K43T-060E
- 0022122244
- 4-647000-9
- SHF-108-01-F-D-RA
- SIT8208AC-GF-25S-32.768000Y
- XREWHT-L1-0000-00J07
- 3-644497-9