IS43TR81280B-107MBLI-TR
1Gb DDR3 SDRAM高速数据传输
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- 描述
- 128Mx8, 64Mx16 1Gb DDR3 SDRAM。支持高速数据传输速率，最高可达1066 MHz。具有低功耗模式，支持自刷新和部分阵列自刷新。工作温度范围：-40°C至85°C。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS43TR81280B-107MBLI-TR
- 商品编号
- C17570076
- 商品封装
- TWBGA-78(8x10.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.316克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 1.425V~1.575V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
该文档详细介绍了128MX8、64MX16 1Gb DDR3 SDRAM的特性、操作选项、引脚说明以及功能描述。包括不同电压标准、高速数据传输、内部银行结构、预取架构、可编程参数等特性，还说明了上电初始化序列等功能流程。
商品特性
- 标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V，向后兼容1.5V
- 高速数据传输速率，系统频率高达1066 MHz
- 8个内部存储体，可并发操作
- 8n位预取架构
- 可编程CAS延迟
- 可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
- 基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
- 可编程突发长度：4和8
- 可编程突发序列：顺序或交错
- 动态BL切换
- 自动自刷新（ASR）
- 自刷新温度（SRT）
- 配置：128Mx8、64Mx16
- 封装：x16采用96球BGA（9mm x 13mm），x8采用78球BGA（8mm x 10.5mm）
- 刷新间隔：7.8 us（8192周期/64 ms），Tc = -40°C至85°C；3.9 us（8192周期/32 ms），Tc = 85°C至105°C
- 部分阵列自刷新
- 异步复位引脚
- 支持TDQS（终端数据选通）（仅x8）
- OCD（片外驱动器阻抗调整）
- 动态ODT（片内终端）
- 驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240 Ω）
- 写电平调整
- DLL关闭模式下高达200 MHz
- 工作温度：商业级（Tc = 0°C至+95°C）；工业级（Tc = -40°C至+95°C）；汽车级A1（Tc = -40°C至+95°C）；汽车级A2（Tc = -40°C至+105°C）