HGTP7N60B3D

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品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: HGTP7N60B3D
商品编号: C17568226
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

HGTP7N60B3D和HGT1S7N60B3DS是MOS栅控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在额定电流下，25°C至150°C之间的导通压降变化适中。该IGBT为TA49190开发型号。与IGBT反并联使用的二极管是RHRD660（TA49057）。该IGBT非常适合许多在中等频率下运行的高压开关应用，这些应用中低传导损耗至关重要，如交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器。

商品特性

14A，600V，Tc = 25°C
600V开关安全工作区能力
典型下降时间：在Tj = 150°C时为120ns
短路额定值
低传导损耗
超快速反并联二极管

应用领域

交流和直流电机控制、电源以及螺线管、继电器和接触器的驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	-
	耗散功率(Pd)	60W
	集射极击穿电压(Vces)	600V
	集电极电流(Ic)	14A
	栅极阈值电压(Vge(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	开启延迟时间(Td(on))	26ns
	关断延迟时间(Td(off))	-
	反向恢复时间(Trr)	37ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)