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APT20M22LVRG

1个N沟道耐压:200V 电流:100A

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT20M22LVRG
商品编号: C17566691
商品封装: TO-264
包装方式: 管装
商品毛重: 12.04021克(g)

商品参数

商品概述

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚的I-Pak版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

更快的开关速度
更低的泄漏电流
采用流行的 TO-264 封装
经过 100% 雪崩测试

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	100A
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	520W
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	435nC@10V
	输入电容(Ciss)	10.2nF
	反向传输电容(Crss)	840pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	2.73nF