PJP8NA65A_T0_00001
1个N沟道 耐压:650V 电流:7.5A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJP8NA65A_T0_00001
- 商品编号
- C17563261
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.245nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 当VGS为10V、ID为3.75A时,RDS(ON) < 1.2Ω
- 高开关速度
- 改善的dv/dt能力
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑化合物(无卤素)
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