PJD3NA50_L2_00001
1个N沟道 耐压:500V 电流:3A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJD3NA50_L2_00001
- 商品编号
- C17567448
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
主要设计用于100 - 500 MHz的宽带大信号输出和驱动级。
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为1.5 A时,RDS(ON) < 3.2 Ω
- 开关速度快
- 改善的dv/dt能力
- 栅极电荷低
- 反向传输电容低
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤)
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