商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 30mA | |
| 耗散功率(Pd) | 120mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 68 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@2mA,300mV | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,500uA | |
| 输入电阻 | 61.1kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
商品特性
- Tr：数字晶体管
- Di：低正向压降二极管
- 小封装
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机驱动器
- DB-QCC5121-WLCSP81-A-0
- SIT8208AI-G3-25E-24.576000T
- CMRDM3575 TR PBFREE
- SIT8208AI-8F-33E-28.636300T
- 627-M37-623-BN3
- 2367196-6
- 516-056-542-332
- 2A05G A0G
- L130-4090003000W25
- 151-10-420-00-003000
- GCM1555C1H9R1BA16J
- IPL1-116-01-L-S-RA-K
- 634-M15-263-BN4
- 630-27W2650-4NA
- SIT8208AI-2F-28S-32.768000Y
- 546CCC000230BCGR
- GCM1555C1H8R9DA16J
- 627W21W1622-2N2
- FTLX3871MCC44-C
- UE62A10123100T
- XREWHT-L1-0000-00CA6