CMRDM3575 TR PBFREE
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:160mA 电流:140mA
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMRDM3575 TR PBFREE
- 商品编号
- C17562353
- 商品封装
- SOT-963
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 125mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
MwT-1F是一款砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为630微米，非常适合需要在高达18 GHz频率下实现高增益和线性度的应用。MwT-1F在宽带（如2至6 GHz）或窄带应用中同样有效。所有芯片均采用氮化硅（SiN）进行钝化处理。
商品特性
- 功率耗散:125 mW
- 低封装高度:0.5 mm(最大值)
- 低导通电阻rDS(ON)
- 低阈值电压
- 逻辑电平兼容
- 小型SOT - 963表面贴装封装
应用领域
-负载/电源开关-电源转换器电路-电池供电的便携式设备
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