- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 30mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 300 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
本规范涵盖了两个电隔离、匹配的NPN硅晶体管作为一个双单元的性能要求。每个器件类型提供四个级别的产品保证，具体规定见MIL-PRF-19500。芯片提供两个级别的产品保证。RHA级别标识符“M”、“D”、“P”、“L”、“R”、“F”、“G”和“H”附加在器件前缀后，以标识已通过RHA要求的器件。
- M83-LMT1M1N96-0000-000
- 163A14639X
- GBJ1510_T0_00601
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