ALD910019SAL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15000MΩ@1.50V,0.0001uA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.92V@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 最高 7 GHz 工作频率
- 在 2.45 GHz 时典型小信号增益为 17.4 dB
- 在 2.45 GHz 时典型饱和功率（Psat）为 25 W
- 28V 工作电压
- 高击穿电压
- 高效率
- 支持可靠性监测
应用领域
- 工业、科学和医疗（ISM）频段放大器
- C 波段放大器
- 宽带放大器
- 基站通信
- 无人机
- 卫星通信
- 雷达应用