ALD1101SAL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@10uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
一款30 W LDMOS驱动晶体管，适用于广播、AB类发射机和工业应用。该器件出色的耐用性使其非常适合400 MHz至860 MHz频率范围内的数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 专为宽带操作设计
- 高效率
- 集成双面ESD保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 出色的可靠性
- 易于进行功率控制
- 出色的稳定性
应用领域
- UHF频段广播发射机应用
- 数字和模拟广播
- 工业、科学和医疗应用
- 适用于400 MHz至860 MHz的频率范围
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