- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 105V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@5.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
适用于基站应用的850 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管,工作频率范围为617 MHz至960 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻,提供出色的热稳定性
- 较低的输出电容,可提升多尔蒂应用的性能
- 专为低记忆效应设计,具备出色的数字预失真能力
- 内部匹配,使用方便
- 集成ESD保护
应用领域
- 用于617 MHz至960 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
- SG-8018CG 3.7860M-TJHPA0
- CBC9W4S1000X/AA
- 530BC000178DGR
- BPSC00131360561T00
- 1N5408GH
- TFM-130-12-L-D-A-P-TR
- MX6AWT-H1-R250-0007B9
- SE20AFG-M3/6A
- DD104S32S50V5S/AA
- NFD17A15SBFE1DA
- SG-8018CA 50.3933M-TJHPA0
- GCM3195G1H392GA16J
- MR1A16ACMA35
- SI8285BC-IS
- 540BAA312M500BAGR
- 630-17W5250-2N2
- 516-056-542-210
- XPGDWT-BS-0000-00N3E
- 629-2W2-240-3N6
- MP-3014-2100-27-90
- SG-8018CE 2.8224M-TJHPA0