商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@3.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.73pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 181pF |
商品概述
基于先进耐用技术(ART),这款2000 W LDMOS射频功率晶体管专为覆盖工业、科学和医疗(ISM)、广播和通信等广泛应用领域而设计。这款非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至400 MHz。
商品特性
- 高击穿电压支持在漏源电压(VDS)高达53 V时进行E类操作
- 经测试可在最高漏源电压(VDS)为65 V的条件下工作
- 在30 V至65 V电压范围内进行特性表征,以支持广泛应用
- 集成双面静电放电(ESD)保护,支持C类操作,并可完全关断晶体管
- 出色的耐用性,无器件性能退化问题
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子发生器
- 磁共振成像(MRI)系统
- 二氧化碳(CO2)激光器
- 粒子加速器
- 广播
- 调频(FM)广播
- 甚高频(VHF)电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频(UHF)雷达
- QSCP251Q6R2C1GV001T
- VS-88HF120
- 3-2842281-4
- 153-10-424-00-001000
- PS000SM6E
- SIT8208AI-22-25E-24.000000
- 4-640473-3
- SG-8018CB 16.9048M-TJHSA0
- ASTMHTD-106.250MHZ-AC-E-T
- SIT1602AI-82-33E-66.000000
- 3201929
- MS27510F18A
- 10HPSNS1-HG
- 570NAB000215DGR
- 3QHM572C0.5-2.000
- S6008DS3RP
- DBMMC25PJ
- SIT8208AC-GF-25S-8.192000T
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- 09195107324
- GCM188R71H823MA57J