- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXBT42N170
高压、高增益BIMOSFET单芯片双极型MOS晶体管，具有低导通损耗、低栅极驱动要求和高功率密度，采用国际标准封装
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXBT42N170
- 商品编号
- C17555727
- 商品封装
- TO-268AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 360W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.7kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.8V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.8V@15V,42A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.99nF | |
| 输出电容(Coes) | 225pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 70pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 37ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 340ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 1.32us | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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