2SK3320-BL(TE85L,F
硅N沟道结型场效应晶体管,适用于低噪声音频放大器应用,双器件超迷你5引脚封装
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3320-BL(TE85L,F
- 商品编号
- C17555716
- 商品封装
- TSSOP-5(SC-70-5)SOT-353
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 200mV | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
适用于低噪声音频放大器应用。采用超小型(五引脚)封装,包含两个器件。
商品特性
- 高|Yfs|:|Yfs| = 15 mS(典型值)(VDS = 10 V,VGS = 0)
- 高击穿电压:VGDS = -50 V
- 超低噪声:NF = 1.0 dB(典型值)(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA,f = 1 kHz,RG = 1 kΩ)
- 高输入阻抗:IGSS = -1 nA(最大值)(VGS = -30 V)
应用领域
低噪声音频放大器
其他推荐
- SG-8018CG 12.7666M-TJHPA0
- K01R
- 1182T12
- SPMWH1229AQ5SGP0SB
- HF1008-102K
- XMLBEZ-00-0000-0B00V450F
- SG-8018CE 49.666670M-TJHPA0
- SG-8101CG 121.0000M-TCHSA0
- 656L24574C2T
- IXBT42N170
- QTM252-48.000MBA-T
- 4-647295-1
- IPL1-106-01-L-S-RA-K
- MAX30034EVKIT#
- ASTMTXK-32.768KHZ-NY-T10
- F-211Z
- 516-090-540-652
- TEM-150-02-04.0-H-D-K-TR
- GCM2195C1H112FA16J
- SI4030-A0-FMR
- 6GK57988MC000AC1
