BLC10G22LS-240PVTY
BLC10G22LS-240PVTY
- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLC10G22LS-240PVTY
- 商品编号
- C17555517
- 商品封装
- SOT-1275-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
ALD110804/ALD110904是高精度单片四/双增强型N沟道MOSFET，采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行匹配。这些器件适用于低电压、小信号应用。ALD110804/ALD110904 MOSFET的设计和制造旨在实现出色的器件电气特性匹配。由于这些器件位于同一单片芯片上，它们还具有出色的温度系数跟踪特性。它们是通用的电路元件，可用作广泛模拟应用的设计组件，例如电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。
ALD110804/ALD110904器件的设计旨在实现最小失调电压和差分热响应，适用于< + 0.1V至+10V系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度，因为这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性，并且可以在亚阈值区域进行偏置和操作。由于这些是MOSFET器件，它们在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无穷大）的电流增益。
ALD110804/ALD110904适用于需要非常高电流增益β的极低工作电压或极低功耗（纳瓦级）精密应用，例如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益源于通过控制栅极的极低电流损耗。直流电流增益受栅极输入泄漏电流的限制，室温下该电流规定为30pA。例如，在25°C下，漏极电流为3mA且输入泄漏电流为30pA时，器件的直流β值为3mA/30pA = 100,000,000。
商品特性
- 出色的耐用性
- 出色的视频带宽,可实现全频段操作
- 高效率
- 低热阻,提供出色的热稳定性
- 专为低记忆效应设计,具有出色的预失真能力
- 内部匹配,使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 用于2110 MHz至2200 MHz频率范围的基站和多载波应用的RF功率放大器