温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MRF275G

2个N沟道

品牌名称: MACOM
商品型号: MRF275G
商品编号: C17553894
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

MwT - 5F是一款双栅砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）器件，其标称栅长为0.25微米，双栅宽为300微米，非常适合在500 MHz至26 GHz频率范围内需要高增益和高线性度的应用。MwT - 5F在宽带（如2至26 GHz）或窄带应用中同样有效。所有芯片均采用氮化硅（SiN）进行钝化处理。

商品特性

N沟道增强型
在500 MHz、28 V直流条件下保证性能
输出功率 — 150 W
功率增益 — 10 dB(最小值)
效率 — 50%(最小值)
在电压驻波比(VSWR)为30:1的所有相位角下进行100%负载失配测试
在28 V时整体电容更低
输入电容(Ciss) — 135 pF
输出电容(Coss) — 140 pF
反向传输电容(Crss) — 17 pF
简化自动电压控制(AVC)、自动电平控制(ALC)和调制

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	65V
	连续漏极电流(Id)	26A
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	400W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	135pF
	反向传输电容(Crss)	17pF
	工作温度	-
	配置	共源
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	140pF