W29N08GWBIBF TR
2芯片堆叠8G位1.8V NAND闪存
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W29N08GWBIBF TR
- 商品编号
- C17553918
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | 35ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 250us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能 |
商品概述
W29N08GW/Z（8G位）NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它非常适合将代码映射到RAM、固态应用以及存储语音、视频、文本和照片等媒体数据。该器件在单1.8V电源下工作。
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