QS8M12TCR
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QS8M12TCR
- 商品编号
- C17552341
- 商品封装
- TSMT8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率封装(TSMT8)
- 低电压驱动(4V 驱动)
应用领域
-开关
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