HM4-6617/883
HM4-6617/883
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HM4-6617/883
- 商品编号
- C17539843
- 商品封装
- LCC-32(11.4x14)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 非易失性存储器(ROM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Kbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
HM - 6617/883是一款16384位熔丝链接CMOS PROM,采用2K字×8位/字格式,具有“三态”输出。该PROM有标准的0.600英寸宽24引脚陶瓷双列直插式封装(DIP)、0.300英寸宽薄型陶瓷双列直插式封装以及JEDEC标准32焊盘陶瓷无引脚芯片载体(LCC)封装。HM - 6617/883采用同步设计技术,包括片上地址锁存器和独立的输出使能控制,这使其非常适合与新一代微处理器配合使用的应用。这种设计技术与哈里斯先进的自对准硅栅CMOS工艺技术相结合,提供了超低待机电流。低ICCSB非常适合电池应用或其他低功耗要求的系统。哈里斯的NiCr熔丝链接技术应用于该产品和其他哈里斯CMOS PROM上。这为用户提供了在整个工业和温度电压范围内具有永久、稳定存储特性的PROM。NiCr熔丝技术与CMOS的低功耗特性相结合,为标准双极PROM或NMOS EPROM提供了一个很好的替代方案。所有位在制造时存储逻辑“0”,并且可以在任何位位置选择性地编程为逻辑“1”。
商品特性
- 该电路按照相关标准处理,完全符合相关条款规定
- 低功耗待机和工作功耗
- ICCSB为100mA
- 1MHz时ICCOP为20mA
- 快速访问时间90/120ns
- 行业标准引脚排列
- 单5.0伏电源供电
- CMOS/TTL兼容输入
- 高输出驱动能力,可驱动12个LSTTL负载
- 同步操作
- 片上地址锁存器
- 独立输出使能
- 工作温度范围为 - 55°C至 + 125°C
其他推荐
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- SIT9365AC-2E2-33E98.304000
- KV1150550000G
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