ALD810020SCL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.02V@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
CLL3H0914L - 700和CLL3H0914LS - 700是700 W内部预匹配的射频氮化镓-碳化硅高电子迁移率晶体管（GaN - SiC HEMT）功率晶体管，可在0.9 GHz至1.4 GHz的频率范围内使用。这些器件具有出色的效率、热阻和坚固性，适用于短脉冲和长脉冲应用。
商品特性
- 700 W内部预匹配的GaN - SiC HEMT，频率范围为0.9 GHz至1.4 GHz，具备内部稳定网络
- 低热阻
- 出色的坚固性
- 高效率，在960 MHz至1215 MHz和1030 MHz频段有短脉冲参考设计
- 高效率，在1.2 GHz至1.4 GHz频段有长脉冲参考设计