ALD810020SCL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.02V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
CLL3H0914L - 700和CLL3H0914LS - 700是700 W内部预匹配的射频氮化镓-碳化硅高电子迁移率晶体管（GaN - SiC HEMT）功率晶体管，可在0.9 GHz至1.4 GHz的频率范围内使用。这些器件具有出色的效率、热阻和坚固性，适用于短脉冲和长脉冲应用。
商品特性
- 使用简单且经济
- 工厂精确微调
- 自动调节和平衡漏电流
- 有效实现超级电容器充电平衡
- 单个 IC 封装可平衡多达 4 个超级电容器
- 可平衡 2 节、3 节、4 节串联的超级电容器
- 可扩展至更大的超级电容器组和阵列
- 几乎零额外漏电流
- 在额定电压以下 0.3V 时零漏电流
- 平衡串联和/或并联连接的超级电容器
- 漏电流是电池电压的指数函数
- 有源电流范围从 < 0.3nA 到 >1000μA
- 始终处于工作状态,响应时间快
- 最小化漏电流和功耗
应用领域
-串联超级电容器单元漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功率分压器-匹配的电流镜和电流源-零功率模式最大电压限制器-扩展的超级电容器组和阵列