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ALD910028SAL

2个N沟道

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品牌名称
ALD
商品型号
ALD910028SAL
商品编号
C17541190
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)10.6V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))2.82V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度0℃~+70℃
类型-
输出电容(Coss)-

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 使用简单且经济
  • 工厂精密微调
  • 自动调节和平衡漏电流
  • 有效实现超级电容器充电平衡
  • 单个IC封装可平衡多达4个超级电容器
  • 可平衡2节、3节、4节串联的超级电容器
  • 可扩展至更大的超级电容器组和阵列
  • 几乎零额外漏电流
  • 在额定电压以下0.3V时零漏电流
  • 可平衡串联和/或并联连接的超级电容器
  • 漏电流是电池电压的指数函数
  • 有源电流范围从< 0.3nA到> 1000μA
  • 始终处于工作状态,响应时间快
  • 最大限度减少漏电流和功耗

应用领域

-串联超级电容器单元的漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功耗分压器-匹配的电流镜和电流源-零功耗模式下的最大电压限制器-可扩展的超级电容器组和阵列

数据手册PDF