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SSM6N7002KFU,LXH
2个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)；RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)；RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）(@ VGS = 4.5V)。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N7002KFU,LXH
- 商品编号
- C17538147
- 商品封装
- TSSOP-6(SC-88)SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 低漏源导通电阻:
- RDS(ON) = 1.05 Ω(典型值)(@ VGS = 10 V)
- RDS(ON) = 1.15 Ω(典型值)(@ VGS = 5.0 V)
- RDS(ON) = 1.2 Ω(典型值)(@ VGS = 4.5 V)
应用领域
- 高速开关
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