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FF11MR12W2M1HPB11BPSA1实物图
  • FF11MR12W2M1HPB11BPSA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FF11MR12W2M1HPB11BPSA1

耐压:1.2kV

商品型号
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
商品编号
C17536766
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
属性参数值
漏源电压(Vdss)1.2kV
工作温度-

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:背光照明、电源管理功能、DC-DC转换器

商品特性

  • 电气特性
  • VDSS = 1200 V
  • IDN = 75 A / IDRM = 150 A
  • 低电感设计
  • 低开关损耗
  • 机械特性
  • 预涂覆热界面材料
  • PressFIT 接触技术
  • 集成 NTC 温度传感器
  • 集成安装夹,安装牢固

应用领域

-高频开关应用-DC/DC 转换器-电机驱动器-UPS 系统-电动汽车直流充电器

数据手册PDF